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MJD117G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
968 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,530 $ |
| 10+ | 1,040 $ |
| 150+ | 0,754 $ |
| 525+ | 0,693 $ |
| 1050+ | 0,630 $ |
| 2550+ | 0,505 $ |
| 10050+ | 0,477 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,53 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD117G
Code Commande72T2532
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Transition Frequency25MHz
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current2A
DC Collector Current2A
Power Dissipation1.75W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins4Pins
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min12hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
12hFE
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
25MHz
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation
1.75W
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits