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MJD127G
Darlington Transistor, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,350 $ |
| 10+ | 1,700 $ |
| 150+ | 1,050 $ |
| 525+ | 0,937 $ |
| 1050+ | 0,782 $ |
| 2550+ | 0,661 $ |
| 10050+ | 0,599 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD127G
Code Commande38K5596
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd1.75W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current8A
DC Collector Current8A
Power Dissipation1.75W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min12hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
-
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
1.75W
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
1.75W
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
1000hFE
DC Current Gain hFE Min
12hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits