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MJD127G
DARLINGTON TRANSISTOR, 100V, 8A, TO-252
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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| 10+ | 1,590 $ |
| 100+ | 0,565 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD127GCopie
Code Commande38K5596
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Power Dissipation Pd1.75W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation1.75W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min12hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
1.75W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
1.75W
Continuous Collector Current
8A
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min
12hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits