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MJD42CRLG
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
3 595 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,390 $ | 2,39 $ |
| Total Prix | 2,39 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,390 $ |
| 50+ | 1,520 $ |
| 100+ | 1,010 $ |
| 250+ | 0,902 $ |
| 500+ | 0,795 $ |
| 1000+ | 0,780 $ |
| 2500+ | 0,763 $ |
| 5000+ | 0,748 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD42CRLGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Mise en bobine54AH9231RL
Bandes découpées54AH9231
Gamme de produitMJD42
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Continuous Collector Current6A
Power Dissipation20W
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current6A
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE15hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMJD42
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation
20W
DC Collector Current
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
MJD42
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
6A
Power Dissipation Pd
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
15hFE
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit