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MJE15031G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE15031GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande26K4451
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,740 $ |
| 10+ | 2,310 $ |
| 100+ | 1,720 $ |
| 500+ | 1,700 $ |
| 1000+ | 1,650 $ |
| 2500+ | 1,630 $ |
| 10000+ | 1,580 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE15031GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande26K4451
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo150V
Collector Emitter Voltage Max150V
Continuous Collector Current8A
DC Collector Current8A
Power Dissipation Pd50W
Power Dissipation50W
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE40hFE
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MJE15031G is a PNP silicon bipolar Power Transistor, designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers. High current gain bandwidth.
- Collector-emitter sustaining voltage of 150VDC
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Audio
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
150V
DC Collector Current
8A
Power Dissipation
50W
DC Current Gain hFE
40hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
150V
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation Pd
50W
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-220
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits