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MJE181G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,450 $ |
| 10+ | 0,990 $ |
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| 500+ | 0,526 $ |
| 1000+ | 0,458 $ |
| 2500+ | 0,424 $ |
| 10000+ | 0,391 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE181G
Code Commande26K4457
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation1.5W
Power Dissipation Pd1.5W
DC Collector Current3A
DC Current Gain hFE5hFE
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-225
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min5hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
1.5W
DC Collector Current
3A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
5hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Continuous Collector Current
3A
Power Dissipation Pd
1.5W
DC Current Gain hFE
5hFE
Transistor Case Style
TO-225
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits