Imprimer la page
MJE182G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE182GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande26K4458
Votre numéro de pièce
2 146 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,880 $ |
| 10+ | 1,240 $ |
| 100+ | 0,872 $ |
| 500+ | 0,713 $ |
| 1000+ | 0,662 $ |
| 2500+ | 0,619 $ |
| 10000+ | 0,543 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,88 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE182GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande26K4458
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation Pd12.5W
Power Dissipation12.5W
DC Collector Current3A
DC Current Gain hFE50hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-225
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min50hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MJE182G is a 80V NPN complementary plastic silicon Bipolar Transistor designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. The MJE172 (PNP) and MJE182 (NPN) are complementary devices.
- High DC current gain
- High current-gain - bandwidth
- Annular construction for low leakages
- Epoxy meets UL94V-0 flammability rating
- 100VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 7V Emitter to base voltage (VEBO)
- 6A Peak collector current
- 1ADC Base current (IB)
- 10°C/W Thermal resistance, junction to case
- 83.4°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Applications
Power Management, Audio, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation Pd
12.5W
DC Collector Current
3A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-225
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
3A
Power Dissipation
12.5W
DC Current Gain hFE
50hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MJE182G
1 produit trouvé
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits