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MJE253G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, PNP, 100 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE253GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande45J1503
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,840 $ |
| 10+ | 1,200 $ |
| 100+ | 0,837 $ |
| 500+ | 0,682 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE253GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande45J1503
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation1.5W
DC Collector Current4A
DC Current Gain hFE40hFE
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-225
No. of Pins3Pins
Transition Frequency40MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJE253G is a -100V Silicon PNP Complementary Plastic Power Transistor designed for low power audio amplifier as well as low current and high speed switching applications.
- High collector-emitter sustaining voltage
- High DC current gain
- Low collector emitter saturation voltage
- High current gain bandwidth
- Annular construction for low leakages
Applications
Audio, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
1.5W
DC Collector Current
4A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
4A
Power Dissipation
1.5W
DC Current Gain hFE
40hFE
Transistor Case Style
TO-225
Transition Frequency
40MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits