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MJE3055TG
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,760 $ |
| 10+ | 1,070 $ |
| 100+ | 0,958 $ |
| 500+ | 0,779 $ |
| 1000+ | 0,711 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE3055TG
Code Commande45J1504
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation Pd75W
Power Dissipation75W
Transistor Case StyleTO-220
DC Collector Current10A
DC Current Gain hFE2hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min2hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJE3055TG is a 60V NPN complementary plastic silicon Bipolar Transistor designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. The MJE2955T (PNP) and MJE3055T (NPN) are complementary devices.
- DC current gain specified to 10A
- High current gain - bandwidth
- 70VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 6ADC Base current (IB)
- 1.67°C/W Thermal resistance, junction to case
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation Pd
75W
Transistor Case Style
TO-220
DC Current Gain hFE
2hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
2hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
75W
DC Collector Current
10A
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits