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MJE4343G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 16 A, 125 W, TO-218, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 6,080 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 90
Multiple: 30
547,20 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE4343G
Code Commande26K4463
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo160V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
DC Collector Current16A
DC Current Gain hFE1hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-218
Transition Frequency1MHz
DC Current Gain hFE Min1hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
160V
Power Dissipation Pd
125W
DC Collector Current
16A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-218
DC Current Gain hFE Min
1hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
160V
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
125W
DC Current Gain hFE
1hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
1MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit