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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,130 $ |
| 10+ | 1,520 $ |
| 100+ | 0,897 $ |
| 500+ | 0,704 $ |
| 1000+ | 0,643 $ |
| 2500+ | 0,590 $ |
| 10000+ | 0,505 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJF122G
Code Commande83Y4326
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd30W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation30W
DC Collector Current5A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min2000hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
30W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
2000hFE
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
30W
Continuous Collector Current
5A
DC Collector Current
5A
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit