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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,870 $ |
| 10+ | 2,800 $ |
| 100+ | 1,730 $ |
| 500+ | 1,390 $ |
| 1000+ | 1,280 $ |
| 2500+ | 1,190 $ |
| 5000+ | 1,150 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJF6388G
Code Commande82Y7001
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Continuous Collector Current10A
Transition Frequency-
Power Dissipation Pd40W
Power Dissipation40W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE3000hFE
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
40W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
3000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation Pd
40W
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-220
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit