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241 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 9,760 $ |
10+ | 9,620 $ |
25+ | 7,950 $ |
60+ | 6,270 $ |
120+ | 6,250 $ |
270+ | 6,200 $ |
510+ | 4,810 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJH11019G
Code Commande83Y4327
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max200V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo200V
Transition Frequency3MHz
Power Dissipation Pd150W
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
DC Collector Current15A
RF Transistor CaseTO-247
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE400hFE
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE Min400hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
200V
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
RF Transistor Case
TO-247
DC Current Gain hFE
400hFE
Transistor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
200V
Transition Frequency
3MHz
Continuous Collector Current
15A
DC Collector Current
15A
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-247
DC Current Gain hFE Min
400hFE
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits