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MJL21194G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Through Hole
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,430 $ |
| 10+ | 5,090 $ |
| 25+ | 4,800 $ |
| 50+ | 4,510 $ |
| 100+ | 4,220 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,43 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJL21194G
Code Commande38K5626
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
Transistor Case StyleTO-264
DC Collector Current16A
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE75hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-264
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation Pd
200W
DC Collector Current
16A
DC Current Gain hFE
75hFE
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit