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MMBD352WT1G
RF Schottky Diode, Barrier, Series, 7 V, 10 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOT-323
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBD352WT1G
Code Commande45J1512
Fiche technique
Diode ConfigurationSeries
Reverse Voltage7V
Forward Current10mA
Forward Voltage600mV
Forward Voltage VF Max600mV
Diode Capacitance0.9pF
Diode Case StyleSOT-323
No. of Pins3 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Diode Configuration
Series
Forward Current
10mA
Forward Voltage VF Max
600mV
Diode Case Style
SOT-323
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Reverse Voltage
7V
Forward Voltage
600mV
Diode Capacitance
0.9pF
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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