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MMBFJ108
JFET Transistor, JFET, 25 V, 80 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ108Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK5566 Mise en bobine31Y2730RL Bandes découpées31Y2730 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
208 805 En Stock
208 805 disponibles sur {packagingType}
384 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,100 $ | 1,10 $ |
| Total Prix | 1,10 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,100 $ |
| 50+ | 0,500 $ |
| 100+ | 0,441 $ |
| 250+ | 0,406 $ |
| 500+ | 0,309 $ |
| 1000+ | 0,303 $ |
| 2500+ | 0,296 $ |
| 5000+ | 0,291 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,235 $ |
| 6000+ | 0,216 $ |
| 9000+ | 0,211 $ |
| 15000+ | 0,207 $ |
| 30000+ | 0,203 $ |
| 75000+ | 0,199 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ108Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK5566 Mise en bobine31Y2730RL Bandes découpées31Y2730 |
| Fiche technique | |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | 25V |
| Breakdown Voltage Vbr | -25V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 80mA |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 80mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | 10V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Transistor Type | JFET |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
Aperçu du produit
MMBFJ108 is a N-channel JFET. This device is designed for digital switching applications where very low on resistance is mandatory.
- Sourced from process 58
- Drain-gate voltage is 25V at TA = 25°C
- Gate-source voltage is -25V at TA = 25°C
- Forward gate current is 10mA at TA = 25°C
- Operating and storage junction temperature range from -55 to 150°C
- Drain-source on resistance is 8ohm at VDS ≤ 0.1V, VGS = 0
- SSOT 3L package
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
| Gate Source Breakdown Voltage Max | 25V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 80mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | 10V |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Transistor Type | JFET |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Breakdown Voltage Vbr | -25V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 80mA |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBFJ108
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |