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MMBFJ175LT1G.
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,228 $ |
| 9000+ | 0,218 $ |
| 15000+ | 0,196 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
684,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ175LT1G.Copie
Code Commande27AC9075
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr30V
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max60mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min7mA
Gate Source Cutoff Voltage Max6V
Transistor Case StyleSOT-23
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
No. of Pins3 Pin
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
60mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3 Pin
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
7mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBFJ175LT1G.
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit