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MMBFJ177LT1G
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,447 $ |
| 25+ | 0,323 $ |
| 50+ | 0,280 $ |
| 100+ | 0,237 $ |
| 250+ | 0,223 $ |
| 500+ | 0,208 $ |
| 1000+ | 0,182 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ177LT1G
Code Commande45J1518
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Breakdown Voltage Vbr30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min-1.5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max-20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeP Channel
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- -25V Drain-gate voltage
- 25V Gate-source voltage
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
-1.5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
2.5V
Transistor Type
JFET
Channel Type
P Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-20mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3 Pin
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits