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MMBFJ177LT1G
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ177LT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 46 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R1327 Mise en bobine45J1518RL Bandes découpées45J1518 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
4 827 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,931 $ | 0,93 $ |
| Total Prix | 0,93 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,931 $ |
| 50+ | 0,443 $ |
| 100+ | 0,393 $ |
| 250+ | 0,350 $ |
| 500+ | 0,307 $ |
| 1000+ | 0,302 $ |
| 2500+ | 0,295 $ |
| 5000+ | 0,289 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,210 $ |
| 6000+ | 0,206 $ |
| 9000+ | 0,202 $ |
| 15000+ | 0,197 $ |
| 30000+ | 0,193 $ |
| 75000+ | 0,189 $ |
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ177LT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 46 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R1327 Mise en bobine45J1518RL Bandes découpées45J1518 |
| Fiche technique | |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | 30V |
| Breakdown Voltage Vbr | 30V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | -20mA |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | -1.5mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | 2.5V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Transistor Type | JFET |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Channel Type | P Channel |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Product Range | - |
| Automotive Qualification Standard | AEC-Q101 |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- -25V Drain-gate voltage
- 25V Gate-source voltage
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
| Gate Source Breakdown Voltage Max | 30V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | -20mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | 2.5V |
| Transistor Type | JFET |
| Channel Type | P Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Breakdown Voltage Vbr | 30V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | -1.5mA |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Automotive Qualification Standard | AEC-Q101 |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |