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MMBFJ177LT1G
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ177LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande
Mise en bobine45J1518RL
Bandes découpées45J1518
Votre numéro de pièce
5 847 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 0,753 $ | 0,75 $ |
| Total Prix | 0,75 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,753 $ |
| 50+ | 0,474 $ |
| 100+ | 0,320 $ |
| 250+ | 0,284 $ |
| 500+ | 0,249 $ |
| 1000+ | 0,227 $ |
| 2500+ | 0,213 $ |
| 5000+ | 0,199 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ177LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande
Mise en bobine45J1518RL
Bandes découpées45J1518
Fiche technique
Aperçu du produit
The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- -25V Drain-gate voltage
- 25V Gate-source voltage
Applications
Industrial, Power Management
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBFJ177LT1G
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit