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MMBFJ201
JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ201Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 54 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2108 Mise en bobine58K9426RL Bandes découpées58K9426 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
7 254 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,855 $ | 0,86 $ |
| Total Prix | 0,86 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,855 $ |
| 50+ | 0,406 $ |
| 100+ | 0,361 $ |
| 250+ | 0,324 $ |
| 500+ | 0,285 $ |
| 1000+ | 0,279 $ |
| 2500+ | 0,274 $ |
| 5000+ | 0,268 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,209 $ |
| 6000+ | 0,204 $ |
| 9000+ | 0,200 $ |
| 15000+ | 0,196 $ |
| 30000+ | 0,192 $ |
| 75000+ | 0,188 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ201Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 54 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2108 Mise en bobine58K9426RL Bandes découpées58K9426 |
| Fiche technique | |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -40V |
| Breakdown Voltage Vbr | -40V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 1mA |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 200µA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -1.5V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Transistor Type | JFET |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Channel Type | N Channel |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The MMBFJ201 is a 40V N-channel Junction (JFET) Field Effect Transistor designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40V Drain gate voltage (VDG)
- 50mA Forward gate current
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Applications
Audio, Power Management
Spécifications techniques
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -40V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 1mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -1.5V |
| Transistor Type | JFET |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Breakdown Voltage Vbr | -40V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 200µA |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |