Imprimer la page
MMBFJ201
JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ201Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète96W7082
Mise en bobine58K9426RL
Bandes découpées58K9426
Votre numéro de pièce
7 754 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,853 $ | 0,85 $ |
| Total Prix | 0,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,853 $ |
| 50+ | 0,540 $ |
| 100+ | 0,361 $ |
| 250+ | 0,322 $ |
| 500+ | 0,283 $ |
| 1000+ | 0,258 $ |
| 2500+ | 0,253 $ |
| 5000+ | 0,249 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,164 $ |
| 6000+ | 0,156 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ201Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète96W7082
Mise en bobine58K9426RL
Bandes découpées58K9426
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max-40V
Breakdown Voltage Vbr-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Max1mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min200µA
Gate Source Cutoff Voltage Max-1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MMBFJ201 is a 40V N-channel Junction (JFET) Field Effect Transistor designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40V Drain gate voltage (VDG)
- 50mA Forward gate current
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Applications
Audio, Power Management
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
1mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-1.5V
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Breakdown Voltage Vbr
-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
200µA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3 Pin
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour MMBFJ201
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit