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MMBFJ201
JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ201Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K9426RL
Bandes découpées58K9426
Votre numéro de pièce
7 754 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 0,853 $ | 0,85 $ |
| Total Prix | 0,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,853 $ |
| 50+ | 0,540 $ |
| 100+ | 0,361 $ |
| 250+ | 0,322 $ |
| 500+ | 0,283 $ |
| 1000+ | 0,258 $ |
| 2500+ | 0,253 $ |
| 5000+ | 0,249 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ201Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K9426RL
Bandes découpées58K9426
Fiche technique
Aperçu du produit
The MMBFJ201 is a 40V N-channel Junction (JFET) Field Effect Transistor designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40V Drain gate voltage (VDG)
- 50mA Forward gate current
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Applications
Audio, Power Management
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour MMBFJ201
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit