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MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, JUNCTION FIELD EFFECT,
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ309LT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 54 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK1664 Mise en bobine58M9122RL Bandes découpées58M9122 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
28 632 En Stock
28 632 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,365 $ | 0,36 $ |
| Total Prix | 0,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,365 $ |
| 50+ | 0,241 $ |
| 100+ | 0,211 $ |
| 250+ | 0,199 $ |
| 500+ | 0,190 $ |
| 1000+ | 0,183 $ |
| 2500+ | 0,179 $ |
| 5000+ | 0,176 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,174 $ |
| 6000+ | 0,169 $ |
| 9000+ | 0,167 $ |
| 15000+ | 0,162 $ |
| 30000+ | 0,160 $ |
| 75000+ | 0,155 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ309LT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 54 semaines |
| Code Commande | Bobine complète86AK1664 Mise en bobine58M9122RL Bandes découpées58M9122 |
| Fiche technique | |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -25V |
| Breakdown Voltage Vbr | -25V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 30mA |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 12mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -4V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Transistor Type | JFET |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Product Range | - |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Automotive Qualification Standard | AEC-Q101 |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Spécifications techniques
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -25V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 30mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -4V |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Breakdown Voltage Vbr | -25V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 12mA |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Transistor Type | JFET |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | - |
| Automotive Qualification Standard | AEC-Q101 |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour MMBFJ309LT1G
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |