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MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ309LT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 47 semaines |
| Code Commande | Bobine complète29X6096 Mise en bobine45J1519RL Bandes découpées45J1519 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
964 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,398 $ | 0,40 $ |
| Total Prix | 0,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,398 $ |
| 50+ | 0,261 $ |
| 100+ | 0,229 $ |
| 250+ | 0,215 $ |
| 500+ | 0,207 $ |
| 1000+ | 0,199 $ |
| 2500+ | 0,195 $ |
| 5000+ | 0,190 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,224 $ |
| 6000+ | 0,214 $ |
| 9000+ | 0,192 $ |
| 15000+ | 0,176 $ |
| 30000+ | 0,165 $ |
| 75000+ | 0,154 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MMBFJ309LT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 47 semaines |
| Code Commande | Bobine complète29X6096 Mise en bobine45J1519RL Bandes découpées45J1519 |
| Fiche technique | |
| Breakdown Voltage Vbr | -25V |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -25V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 12mA |
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 30mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -4V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Transistor Type | JFET |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Channel Type | N Channel |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
| Breakdown Voltage Vbr | -25V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | 12mA |
| Gate Source Cutoff Voltage Max | -4V |
| Transistor Type | JFET |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -25V |
|---|---|
| Zero Gate Voltage Drain Current Max | 30mA |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |