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MMBFJ309LT1G

Name: ONSEMI MMBFJ309LT1G
Brand: ONSEMI
SKU: 45J1519RL
Availability: InStock

JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

ONSEMI MMBFJ309LT1G JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C

FabricantONSEMI

Réf. FabricantMMBFJ309LT1GCopie

Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines

Code Commande

Bobine complète29X6096

Mise en bobine45J1519RL

Bandes découpées45J1519

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Fiche technique

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Bobine complète

(Min : 3000 / Mult : 3000)

Mise en bobine

(Min : 10 / Mult : 1)

Bandes découpées

(Min : 1 / Mult : 1)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Mise en bobine	1	0,362 $	0,36 $
Total Prix			0,36 $

Bandes découpées & Mise en bobine

Quantité	Prix
1+	0,362 $
50+	0,239 $
100+	0,210 $
250+	0,196 $
500+	0,189 $
1000+	0,182 $
2500+	0,178 $
5000+	0,175 $

Bobine complète

Quantité	Prix
3000+	0,224 $
9000+	0,214 $
15000+	0,192 $

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Informations produit

FabricantONSEMI

Réf. FabricantMMBFJ309LT1GCopie

Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines

Code Commande

Bobine complète29X6096

Mise en bobine45J1519RL

Bandes découpées45J1519

Fiche technique

Data Sheet

Aperçu du produit

The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.

25VDC Drain-source voltage
25VDC Gate-source voltage
10mA Gate current

Applications

Industrial, Power Management

Documents techniques (2)

MMBFJ309LT1G Data Sheet

Product Change Notice EN

Produits de remplacement pour MMBFJ309LT1G

3 produit(s) trouvé(s)

Produits associés

6 produit(s) trouvé(s)

Législation et Questions environnementales

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui