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MMBT2907AWT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT2907AWT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète94W9001
Mise en bobine84K8796RL
Bandes découpées84K8796
Gamme de produitMMBTxxxx Series
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390 181 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,231 $ | 0,23 $ |
| Total Prix | 0,23 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,231 $ |
| 25+ | 0,148 $ |
| 50+ | 0,121 $ |
| 100+ | 0,094 $ |
| 250+ | 0,082 $ |
| 500+ | 0,070 $ |
| 1000+ | 0,062 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,041 $ |
| 6000+ | 0,038 $ |
| 12000+ | 0,037 $ |
| 18000+ | 0,034 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT2907AWT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète94W9001
Mise en bobine84K8796RL
Bandes découpées84K8796
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max60V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
DC Collector Current600mA
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation Pd150mW
Power Dissipation150mW
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MMBT2907AWT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Applications
Industrial, Power Management, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Continuous Collector Current
600mA
Power Dissipation
150mW
DC Current Gain hFE
200hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
60V
DC Collector Current
600mA
Power Dissipation Pd
150mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-323
Transition Frequency
200MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT2907AWT1G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit