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MMBT3904TT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-416, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3904TT1G
Code Commande88H4787
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
4 672 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,182 $ |
| 50+ | 0,126 $ |
| 100+ | 0,077 $ |
| 250+ | 0,069 $ |
| 500+ | 0,059 $ |
| 1000+ | 0,048 $ |
| 2500+ | 0,042 $ |
| 5000+ | 0,037 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,18 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3904TT1G
Code Commande88H4787
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation300mW
Power Dissipation Pd300mW
DC Collector Current200mA
DC Current Gain hFE30hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-416
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
MMBT3904TT1G is a NPN silicon, surface mount, general purpose transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 200mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 200mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 600°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100ADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Power Dissipation
300mW
DC Collector Current
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
300mW
DC Current Gain hFE
30hFE
Transistor Case Style
SOT-416
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour MMBT3904TT1G
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Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit