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MMBT3906LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3906LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète94W9004
Mise en bobine58M9148RL
Bandes découpées58M9148
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Votre numéro de pièce
33 310 En Stock
33 310 disponibles sur {packagingType}
33 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,214 $ | 0,21 $ |
| Total Prix | 0,21 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,214 $ |
| 50+ | 0,132 $ |
| 100+ | 0,083 $ |
| 250+ | 0,072 $ |
| 500+ | 0,061 $ |
| 1000+ | 0,054 $ |
| 2500+ | 0,053 $ |
| 5000+ | 0,051 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,043 $ |
| 9000+ | 0,039 $ |
| 15000+ | 0,038 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3906LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète94W9004
Mise en bobine58M9148RL
Bandes découpées58M9148
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx Series
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
MMBT3906LT1G is a PNP silicon general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is -40VDC
- Collector-base voltage is -40VDC
- Collector current - continuous is -200mA DC
- Total device dissipation is a 225mW
- Junction and storage temperature is -65 to +150°C
- 60 minimum DC current gain (IC = -0.1mAdc, VCE = -1.0Vdc)
- 250MHz typical current-gain bandwidth product (IC = -10mAdc, VCE = -20Vdc, f = 100MHz)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
250MHz
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
250MHz
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT3906LT1G
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Produits associés
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit