Imprimer la page
MMBT3906WT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3906WT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1340
Mise en bobine88H4789
Bandes découpées88H4789
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Votre numéro de pièce
198 006 En Stock
Vous en voulez davantage ?
18006 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
180000 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,202 $ | 0,20 $ |
| Total Prix | 0,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,202 $ |
| 25+ | 0,123 $ |
| 50+ | 0,100 $ |
| 100+ | 0,078 $ |
| 250+ | 0,069 $ |
| 500+ | 0,059 $ |
| 1000+ | 0,053 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 18000+ | 0,034 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3906WT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1340
Mise en bobine88H4789
Bandes découpées88H4789
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation150mW
Power Dissipation Pd150mW
DC Collector Current200mA
DC Current Gain hFE250hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min250hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MMBT3906WT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Applications
Industrial, Power Management, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
150mW
DC Collector Current
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
250hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
150mW
DC Current Gain hFE
250hFE
Transistor Case Style
SOT-323
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT3906WT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit