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MMBT4401LT3G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT4401LT3GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète42K1339
Mise en bobine09R9451RL
Bandes découpées09R9451
Votre numéro de pièce
5 518 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,231 $ | 0,23 $ |
| Total Prix | 0,23 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,231 $ |
| 50+ | 0,142 $ |
| 100+ | 0,090 $ |
| 250+ | 0,079 $ |
| 500+ | 0,068 $ |
| 1000+ | 0,060 $ |
| 2500+ | 0,054 $ |
| 5000+ | 0,047 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 20000+ | 0,042 $ |
| 60000+ | 0,040 $ |
| 100000+ | 0,039 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT4401LT3GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète42K1339
Mise en bobine09R9451RL
Bandes découpées09R9451
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current600mA
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
MMBT4401LT3G is a NPN silicon, switching transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 600mAdc max (TA = 25°C)
- Collector current - peak is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
225mW
DC Collector Current
600mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Continuous Collector Current
600mA
Power Dissipation Pd
225mW
DC Current Gain hFE
100hFE
Transistor Case Style
SOT-23
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits