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MMBT5087LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 50 V, 50 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5087LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1342
Mise en bobine98H0753RL
Bandes découpées98H0753
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Votre numéro de pièce
13 667 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,289 $ | 0,29 $ |
| Total Prix | 0,29 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,289 $ |
| 50+ | 0,178 $ |
| 100+ | 0,114 $ |
| 250+ | 0,100 $ |
| 500+ | 0,086 $ |
| 1000+ | 0,076 $ |
| 2500+ | 0,075 $ |
| 5000+ | 0,074 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12000+ | 0,057 $ |
| 36000+ | 0,056 $ |
| 60000+ | 0,054 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5087LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1342
Mise en bobine98H0753RL
Bandes découpées98H0753
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max50V
DC Collector Current50mA
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation Pd300mW
Power Dissipation300mW
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE40hFE
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Transition Frequency40MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MMBT5087LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
50V
Continuous Collector Current
50mA
Power Dissipation
300mW
DC Current Gain hFE
40hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
DC Collector Current
50mA
Power Dissipation Pd
300mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
Transition Frequency
40MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT5087LT1G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit