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MMBT5089LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5089LT1G
Code Commande67R1343
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo25V
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current50mA
DC Current Gain hFE1200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min1200hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Aperçu du produit
The MMBT5089LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
225mW
DC Collector Current
50mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
1200hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
25V
Continuous Collector Current
50mA
Power Dissipation Pd
225mW
DC Current Gain hFE
1200hFE
Transistor Case Style
SOT-23
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT5089LT1G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits