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MMBT5089LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5089LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1343
Mise en bobine98H0755RL
Bandes découpées98H0755
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,290 $ | 0,29 $ |
| Total Prix | 0,29 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,290 $ |
| 25+ | 0,181 $ |
| 50+ | 0,149 $ |
| 100+ | 0,117 $ |
| 250+ | 0,103 $ |
| 500+ | 0,088 $ |
| 1000+ | 0,078 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,060 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5089LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1343
Mise en bobine98H0755RL
Bandes découpées98H0755
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo25V
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current50mA
DC Current Gain hFE1200hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min1200hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MMBT5089LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Applications
Industrial, Power Management, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
225mW
DC Collector Current
50mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
1200hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
25V
Continuous Collector Current
50mA
Power Dissipation Pd
225mW
DC Current Gain hFE
1200hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit