Imprimer la page
MMBT589LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Low VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT589LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande83H7338
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,199 $ |
| 6000+ | 0,195 $ |
| 9000+ | 0,190 $ |
| 15000+ | 0,186 $ |
| 30000+ | 0,183 $ |
| 75000+ | 0,179 $ |
| 150000+ | 0,175 $ |
| 300000+ | 0,171 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
597,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT589LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande83H7338
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current1A
DC Collector Current1A
Power Dissipation Pd310mW
Power Dissipation310mW
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE40hFE
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
MMBT589LT1G is a high current surface mount PNP silicon switching transistor for load management in portable applications.
- Collector-emitter voltage is -30VDC max (TA = 25°C)
- Collector-base voltage is -50VDC max (TA = 25°C)
- Emitter-base voltage is -5.0VDC max (TA = 25°C)
- Collector current - continuous is -1.0ADC max (TA = 25°C)
- Collector current - peak is -2.0A max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 310mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 403°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
DC Collector Current
1A
Power Dissipation
310mW
DC Current Gain hFE
40hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
310mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT589LT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit