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MMBTH10LT1G
Bipolar - RF Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTH10LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant33 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6101
Mise en bobine98H0745RL
Bandes découpées98H0745
Votre numéro de pièce
8 881 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 0,153 $ | 0,15 $ |
| Total Prix | 0,15 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,153 $ |
| 50+ | 0,085 $ |
| 100+ | 0,074 $ |
| 250+ | 0,068 $ |
| 500+ | 0,065 $ |
| 1000+ | 0,062 $ |
| 2500+ | 0,061 $ |
| 5000+ | 0,060 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 21000+ | 0,066 $ |
| 30000+ | 0,056 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTH10LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant33 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6101
Mise en bobine98H0745RL
Bandes découpées98H0745
Fiche technique
Aperçu du produit
The MMBTH10LT1G is an NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
Applications
RF Communications, Industrial
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBTH10LT1G
2 produit(s) trouvé(s)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit