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MMBTH10LT1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 3 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,063 $ |
| 18000+ | 0,055 $ |
| 30000+ | 0,045 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 9000
Multiple: 3000
567,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTH10LT1G
Code Commande29X6101
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo25V
Transition Frequency650MHz
Power Dissipation Pd225mW
Power Dissipation225mW
DC Collector Current4mA
Continuous Collector Current4mA
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE60hFE
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
DC Current Gain hFE Min60hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMBTH10LT1G is a NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
- Halogen-free
Applications
RF Communications, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
25V
Power Dissipation Pd
225mW
DC Collector Current
4mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Transition Frequency
650MHz
Power Dissipation
225mW
Continuous Collector Current
4mA
DC Current Gain hFE
60hFE
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit