Imprimer la page
MMSD701T1G
RF Schottky Diode, Barrier, Single, 70 V, 200 mA, 500 mV, 0.5 pF, SOD-123
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Impossible de récupérer les informations sur la disponibilité
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMSD701T1G
Code Commande10N9702
Fiche technique
Diode ConfigurationSingle
Reverse Voltage70V
Forward Current200mA
Forward Voltage500mV
Forward Voltage VF Max500mV
Diode Capacitance0.5pF
Diode Case StyleSOD-123
No. of Pins2 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMSD701T1G is a Schottky Barrier Diode features extremely low minority carrier lifetime and very low capacitance. The Schottky diode is designed primarily for high efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- 225mW Forward power dissipation
- Low reverse leakage
- Halogen-free
Applications
RF Communications, Automotive
Spécifications techniques
Diode Configuration
Single
Forward Current
200mA
Forward Voltage VF Max
500mV
Diode Case Style
SOD-123
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Reverse Voltage
70V
Forward Voltage
500mV
Diode Capacitance
0.5pF
No. of Pins
2 Pin
Operating Temperature Max
125°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMSD701T1G
7 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits