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MMUN2233LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMUN2233LT1GCopie
Code Commande
Bobine complète94W9045
Mise en bobine84K8803
Bandes découpées84K8803
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,188 $ | 0,19 $ |
| Total Prix | 0,19 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,188 $ |
| 25+ | 0,120 $ |
| 50+ | 0,099 $ |
| 100+ | 0,078 $ |
| 250+ | 0,069 $ |
| 500+ | 0,059 $ |
| 1000+ | 0,052 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,025 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMUN2233LT1GCopie
Code Commande
Bobine complète94W9045
Mise en bobine84K8803
Bandes découpées84K8803
Fiche technique
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R14.7kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min80hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
MMUN2233LT1G is an MMUN2233L series NPN transistor with a monolithic bias resistor network digital transistor. It is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design, reduces board space, reduces component count
- Collector-base voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector-emitter voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector current - continuous is 100mAdc max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input forward voltage is 30VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input reverse voltage is 5VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Total device dissipation is 230mW max (TA = 25°C)
- DC current gain is 200 (IC = 5.0mA, VCE = 10V, TA = 25°C)
- Input resistor range from 3.3 to 6.1kohm (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- SOT-23 package, junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
4.7kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit