Imprimer la page
MTP3055VL
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMTP3055VLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande18C7756
Votre numéro de pièce
383 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,640 $ |
| 10+ | 1,990 $ |
| 100+ | 1,820 $ |
| 500+ | 1,780 $ |
| 1000+ | 1,750 $ |
| 2500+ | 1,710 $ |
| 5000+ | 1,680 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,64 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMTP3055VLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande18C7756
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd48W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MTP3055VL is a N-channel Logic Level MOSFET designed specifically for low voltage, high speed switching applications. This MOSFET features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies). The rugged internal source-drain diode can eliminates the need for an external Zener diode transient suppressor.
- Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
- Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
48W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour MTP3055VL
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits