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NCV8402ASTT3G
Power MOSFET, N Channel, 42 V, 2.37 A, 0.165 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNCV8402ASTT3GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète07W7279
Bandes découpées13AC6171
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 4000 | 0,672 $ | 2 688,00 $ |
| Total Prix | 2 688,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,672 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,508 $ |
| 12000+ | 0,497 $ |
| 20000+ | 0,487 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNCV8402ASTT3GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète07W7279
Bandes découpées13AC6171
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds42V
Continuous Drain Current Id2.37A
On Resistance Rds(on)0.165ohm
Drain Source On State Resistance0.165ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.1W
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Transistor Case StyleSOT-223
Power Dissipation1.1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q100
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q100
MSL-
SVHCLead (14-Jun-2023)
Aperçu du produit
NCV8402ASTT3G is a three-terminal protected low−side smart discrete device. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD and integrated drain−to−gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments. The application includes switch a variety of resistive, inductive and capacitive loads, can replace electromechanical relays and discrete circuits, automotive/industrial.
- Short−circuit protection, thermal shutdown with automatic restart
- Overvoltage protection, integrated clamp for inductive switching
- ESD protection, dV/dt robustness, analog drive capability (logic level input)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable, gate input current is 50µA typ at (VDS = 0V, VGS = 5V)
- Slew−rate ON (70% to 50% VDD) is 0.8µVs typ at (VGS = 10V, VDD = 12V, ID = 2.5A, RL = 4.7 ohm)
- Current limit is 4.3A typical at (VDS = 10V, VGS = 5.0V, TJ = 25°C)
- Source−drain forward on voltage is 1V typ at (VGS = 0V, IS = 7A)
- Gate threshold temperature coefficient 4mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Operating junction temperature range from -40°C to +150°C
- SOT−223 package
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
42V
On Resistance Rds(on)
0.165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.1W
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
Qualification
AEC-Q100
Automotive Qualification Standard
AEC-Q100
SVHC
Lead (14-Jun-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.37A
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Produits de remplacement pour NCV8402ASTT3G
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (14-Jun-2023)
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Certificat de conformité du produit