Imprimer la page
NDC7001C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDC7001CCopie
Code Commande
Mise en bobine58K9473
Bandes découpées58K9473
Votre numéro de pièce
172 182 En Stock
Vous en voulez davantage ?
40182 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
132000 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,161 $ | 0,16 $ |
| Total Prix | 0,16 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,161 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDC7001CCopie
Code Commande
Mise en bobine58K9473
Bandes découpées58K9473
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id510mA
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
Continuous Drain Current Id P Channel340mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel700mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDC7001C is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage, low current, switching and power supply applications.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
340mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
700mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
510mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NDC7001C
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit