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NDS0605
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS0605Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète41K9479
Mise en bobine58K9477RL
Bandes découpées58K9477
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,521 $ | 0,52 $ |
| Total Prix | 0,52 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,521 $ |
| 50+ | 0,318 $ |
| 100+ | 0,200 $ |
| 250+ | 0,175 $ |
| 500+ | 0,148 $ |
| 1000+ | 0,132 $ |
| 2500+ | 0,129 $ |
| 5000+ | 0,126 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,094 $ |
| 18000+ | 0,092 $ |
| 30000+ | 0,090 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS0605Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète41K9479
Mise en bobine58K9477RL
Bandes découpées58K9477
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd360mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDS0605 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. It can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 180mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Voltage controlled p-channel small signal switch
- High density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
180mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Power Dissipation Pd
360mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit