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NDS0610
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS0610Copie
Code Commande
Mise en bobine58K2015
Bandes découpées58K2015
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,822 $ | 0,82 $ |
| Total Prix | 0,82 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,822 $ |
| 25+ | 0,527 $ |
| 50+ | 0,440 $ |
| 100+ | 0,351 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS0610Copie
Code Commande
Mise en bobine58K2015
Bandes découpées58K2015
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120mA
Drain Source On State Resistance10ohm
On Resistance Rds(on)10ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDS0610 is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. They can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Voltage controlled p-channel small signal switch
- High density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120mA
On Resistance Rds(on)
10ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit