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NDS331N
MOSFET Transistor, N Channel, 1.3 A, 20
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS331NCopie
Code Commande
Mise en bobine87X9082
Bandes découpées87X9082
Votre numéro de pièce
223 848 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,914 $ | 4,57 $ |
| Total Prix | 4,57 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,914 $ |
| 10+ | 0,701 $ |
| 25+ | 0,584 $ |
| 50+ | 0,490 $ |
| 100+ | 0,412 $ |
| 250+ | 0,351 $ |
| 500+ | 0,287 $ |
| 1000+ | 0,242 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS331NCopie
Code Commande
Mise en bobine87X9082
Bandes découpées87X9082
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd500mW
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit