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NDS7002A
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS7002ACopie
Code Commande
Mise en bobine58K9482
Bandes découpées58K9482
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,495 $ | 0,50 $ |
| Total Prix | 0,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,495 $ |
| 25+ | 0,315 $ |
| 50+ | 0,260 $ |
| 100+ | 0,205 $ |
| 250+ | 0,181 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS7002ACopie
Code Commande
Mise en bobine58K9482
Bandes découpées58K9482
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id280mA
On Resistance Rds(on)2ohm
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDS7002A is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High saturation current capability
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
280mA
Drain Source On State Resistance
2ohm
Power Dissipation Pd
300mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit