Imprimer la page
NDS9407
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 150 mohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS9407Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2128
Mise en bobine78K6109RL
Bandes découpées78K6109
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 12 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 0,650 $ | 1 625,00 $ |
| Total Prix | 1 625,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,650 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,620 $ |
| 3000+ | 0,609 $ |
| 6000+ | 0,572 $ |
| 12000+ | 0,544 $ |
| 18000+ | 0,516 $ |
| 30000+ | 0,499 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS9407Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2128
Mise en bobine78K6109RL
Bandes découpées78K6109
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance150mohm
On Resistance Rds(on)0.078ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDS9407 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5 to 20V). It is suitable for load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
150mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
0.078ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit