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NDT2955
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT2955Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K9483RL
Bandes découpées58K9483
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,680 $ | 1,68 $ |
| Total Prix | 1,68 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,680 $ |
| 50+ | 1,050 $ |
| 100+ | 0,689 $ |
| 250+ | 0,612 $ |
| 500+ | 0,533 $ |
| 1000+ | 0,483 $ |
| 2500+ | 0,441 $ |
| 5000+ | 0,433 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT2955Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K9483RL
Bandes découpées58K9483
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)0.095ohm
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Transistor Case StyleSOT-223
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDT2955 is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using high voltage trench process and suitable for power management applications.
- High density cell design for extremely low Rds(ON)
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2.5A
- Power dissipation (pd) of 3W
- Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit