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NDT456P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.5 A, 30 mohm, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT456PCopie
Code Commande
Mise en bobine58K9485
Bandes découpées58K9485
Votre numéro de pièce
32 455 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,840 $ | 2,84 $ |
| Total Prix | 2,84 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,840 $ |
| 25+ | 1,810 $ |
| 50+ | 1,520 $ |
| 100+ | 1,220 $ |
| 250+ | 1,100 $ |
| 500+ | 0,966 $ |
| 1000+ | 0,905 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT456PCopie
Code Commande
Mise en bobine58K9485
Bandes découpées58K9485
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOT-223
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDT456P is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate-source voltage
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Power Dissipation Pd
3W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit