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NJD2873T4G.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,350 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
875,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNJD2873T4G.Copie
Code Commande26AC2682
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max50V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation Pd1.68W
Power Dissipation1.68W
DC Collector Current2A
DC Current Gain hFE40hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
50V
Power Dissipation Pd
1.68W
DC Collector Current
2A
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation
1.68W
DC Current Gain hFE
40hFE
No. of Pins
4Pins
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit