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NJL3281DG
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNJL3281DGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande82Y7073
Votre numéro de pièce
189 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,910 $ |
| 10+ | 5,660 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,91 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNJL3281DGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande82Y7073
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo260VDC
Collector Emitter Voltage Max260V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation Pd200W
Power Dissipation200W
DC Collector Current15A
Transistor Case StyleTO-264
DC Current Gain hFE45hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins5Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min75hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
260V
Power Dissipation Pd
200W
DC Collector Current
15A
DC Current Gain hFE
45hFE
No. of Pins
5Pins
DC Current Gain hFE Min
75hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
260VDC
Continuous Collector Current
15A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-264
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit