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NTA4001NT1G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SC-75, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTA4001NT1G
Code Commande
Bobine complète45J2081
Mise en bobine81Y7030
Bandes découpées81Y7030
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Fiche technique
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,351 $ |
| 10+ | 0,220 $ |
| 25+ | 0,195 $ |
| 50+ | 0,169 $ |
| 100+ | 0,144 $ |
| 250+ | 0,127 $ |
| 500+ | 0,109 $ |
| 1000+ | 0,095 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 9000+ | 0,062 $ |
| 15000+ | 0,060 $ |
| 24000+ | 0,060 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTA4001NT1G
Code Commande
Bobine complète45J2081
Mise en bobine81Y7030
Bandes découpées81Y7030
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id238mA
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSC-75
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd300mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Case Style
SC-75
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
238mA
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300mW
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTA4001NT1G
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Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit